感应耦合等离子体刻蚀系统利用射频天线，通过感应耦合方式在放电腔中产生高密度等离子体，同时刻蚀工作台引入射频偏压，射频偏压作用下，等离子体中垂直向下对被刻蚀材料表面进行物理轰击，并与材料表面发生化学反应，达到对样品进行刻蚀的目的。

　　本系统具有ICP和RIE两种刻蚀功能，既可以进行细线条(纳米)加工，也可以进行高深宽比的体加工。可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。刻蚀系统具有选择比高、刻蚀速率快、重复性好等优点，主要应用于微机电、微电子、光电子、通讯以及新能源材料等研究领域。

　　代表性成果

　　二维材料器件

　　纳米柱刻蚀

　　深硅刻蚀

　　纳米带刻蚀

　　代表性成果

　　1. X. D. Wang, J. L. Wang, M. H. Tang, et al., Ultrasensitive and broad-band MoS2 photodetector driven by ferroelectrics, Advanced Materials, 27 (42) (2015) 6575-6581. (IF=18.96)

　　2. S. A. Yan, H. X. Guo, M. H. Tang, et al., Impact of total ionizing dose irradiation on Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si memory capacitor, Applied Physics Letters, 106 (2015) 012901 (1-5). (IF=3.515)

　　3. S. A. Yan, H. X. Guo, M. H. Tang, et al., Impact of total ionizing dose irr-adiation on electrical property of ferroelectric-gate field-effect transistor, Journal of Applied Physics, 115 (2014) 204504 (1-6). (IF=2.183)

　　项目支持

　　1、基于自旋极化多铁隧道结的多值存储研究，国家自然科学基金面上项目(51472210)。

　　2、八逻辑态高密度铁电存储器的机理及实验研究，湖南省自然科学基金重点项目(13JJ2023)。

　　获得奖励

　　1、薄膜材料及其器件力学 教育部“长江学者计划”奖励计划 教育部创新团队滚动资助项目2014 (排名第一)

　　2、微纳材料及器件的力学理论设计与性能表征方法，湖南省自然科学二等奖2013 (排名第二)

　　仪器放置地点：机械楼113  管理人：燕少安  电话：15173270697  责任教授：郑学军教